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型号 SI5432DC-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
SI5432DC-T1-GE3 PDF
代理商 SI5432DC-T1-GE3
产品目录绘图 DC-T1-E3 Series 1206-8
标准包装 1
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 20 毫欧 @ 8.3A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 33nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1200pF @ 10V
功率 - 最大 6.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD，扁平引线
供应商设备封装 1206-8 ChipFET?
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1660 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI5432DC-T1-GE3CT
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